MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 1.8 mΩ Miglioramento, 120 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16-1, Superficie IAUTN12S5N018TATMA1

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Codice RS:
284-710
Codice costruttore:
IAUTN12S5N018TATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-HDSOP-16-1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

358W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 Automotive offre prestazioni e affidabilità eccezionali per le applicazioni automobilistiche. Con il suo design in modalità enhancement a canale N, questo transistor di potenza è stato progettato per soddisfare i severi requisiti del settore automobilistico, garantendo un'efficienza superiore e una funzionalità robusta. Con una qualifica estesa oltre l'AEC Q101, è sottoposto a test elettrici avanzati per garantire la durata anche in ambienti difficili. Questo dispositivo supporta un'ampia gamma di temperature operative, rendendolo adatto a diverse condizioni automobilistiche. La bassa resistenza allo stato on e l'elevata capacità di corrente di scarico continua rendono questo MOSFET una scelta ideale per le attività di gestione dell'alimentazione più impegnative, garantendo che le prestazioni del veicolo rimangano senza compromessi.

Progettato per la conformità al settore automobilistico

Massima robustezza, perfetta per ambienti impegnativi

Test potenziati per l'affidabilità

Eccellenti prestazioni termiche

Alta efficienza con perdite minime

Valanga classificata per i transitori di energia

Classificazione MSL1 fino a 260°C

Carica di gate avanzata per una commutazione efficiente

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