MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 36 mΩ Miglioramento, 64 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie AIMBG75R027M1HXTMA1

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Codice RS:
349-208
Codice costruttore:
AIMBG75R027M1HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PG-TO263-7

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Dissipazione di potenza massima Pd

273W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET CoolSiC Infineon da 750 V è realizzato sulla base della tecnologia del carburo di silicio solido sviluppata da Infineon in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche del materiale TiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più gravose, consente di semplificare e rendere conveniente l'implementazione della massima efficienza del sistema.

Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice

Pin sorgente del driver disponibile

Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V

Efficienza superiore in caso di hard switching

Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching

Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate

La migliore dissipazione termica della categoria

Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate

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