MOSFET Infineon, canale Canale N 750 V, 31 mΩ, 64 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Foro passante AIMBG75R007M2HXTMA1

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Codice RS:
762-866
Codice costruttore:
AIMBG75R007M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Serie

AIMBG75R

Tipo di package

PG-TO263-7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

234W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di Infineon è un dispositivo di potenza ad alte prestazioni progettato per applicazioni automobilistiche, che offre capacità di commutazione efficienti e una robusta affidabilità in ambienti difficili.

Funziona a una tensione massima drain-source di 750 V con un'eccezionale gestione termica

Presenta il miglior RDS(on) della categoria per una maggiore efficienza energetica

Assicura una maggiore robustezza per tensioni del bus superiori a 500 V

Consente frequenze di commutazione più elevate in topologie a commutazione morbida

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