MOSFET Infineon, canale Canale N 750 V, 31 mΩ, 64 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Montaggio superficiale AIMBG75R033M2HXTMA1

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Codice RS:
762-868
Codice costruttore:
AIMBG75R033M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Serie

AIMBG75R

Tipo di package

PG-TO263-7

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

169nC

Dissipazione di potenza massima Pd

234W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

15mm

Lunghezza

10.2mm

Larghezza

9.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di Infineon è progettato per offrire prestazioni eccezionali in applicazioni ad alta tensione, come caricabatterie a bordo scheda e convertitori CC-CC, garantendo affidabilità ed efficienza in ambienti difficili.

Dispone di una tecnologia a 750 V estremamente robusta con eccellenti test a valanga

Offre una dissipazione termica superiore e perdite di commutazione ridotte

Offre una maggiore efficienza in topologie di commutazione dure e morbide

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