MOSFET Infineon, canale Canale N 750 V, 31 mΩ, 64 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Montaggio superficiale AIMBG75R050M2HXTMA1

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Codice RS:
762-870
Codice costruttore:
AIMBG75R050M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Serie

AIMBG75R

Tipo di package

PG-TO263-7

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

234W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

169nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET SiC ad alte prestazioni di Infineon è progettato per migliorare l'efficienza nelle applicazioni automobilistiche facilitando l'efficace conversione e gestione della potenza.

Dispone di una tecnologia a 750 V estremamente robusta con test a valanga al 100%

Offre un'efficienza superiore in caso di commutazione rigida e frequenze di commutazione elevate

Offre la migliore dissipazione termica della categoria per un funzionamento affidabile

Include un diodo ESD integrato per una maggiore robustezza

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