MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 31 mΩ, 64 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Montaggio superficiale AIMBG75R060M2HXTMA1

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Codice RS:
762-872
Codice costruttore:
AIMBG75R060M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Serie

AIMBG75R

Tipo di package

PG-TO263-7

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

169nC

Dissipazione di potenza massima Pd

234W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET SiC ad alte prestazioni di Infineon è progettato per migliorare l'efficienza nelle applicazioni automobilistiche facilitando l'efficace conversione e gestione della potenza.

Offre una robusta tecnologia a 750 V, garantendo un'elevata affidabilità nelle applicazioni più impegnative

Offre capacità di dissipazione termica di prim'ordine per prestazioni migliorate

Supporta una maggiore efficienza nelle applicazioni di commutazione rigida, riducendo al minimo la perdita di energia

Include una protezione ESD integrata per salvaguardare l'integrità del circuito

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