MOSFET Infineon, canale Canale N 750 V, 31 mΩ, 64 A, 7 Pin, PG-TO263-7, SMD AIMBG75R040M2HXTMA1
- Codice RS:
- 762-869
- Codice costruttore:
- AIMBG75R040M2HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
19,04 €
(IVA esclusa)
23,23 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 02 luglio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 19,04 € |
| 10 - 24 | 17,14 € |
| 25 + | 14,09 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 762-869
- Codice costruttore:
- AIMBG75R040M2HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 64A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Tipo montaggio | SMD | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 31mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 234W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 169nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 9.8mm | |
| Larghezza | 15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 64A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package PG-TO263-7 | ||
Serie AIMBG75R | ||
Tipo montaggio SMD | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 31mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 234W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 169nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 9.8mm | ||
Larghezza 15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di Infineon è un dispositivo di potenza ad alte prestazioni progettato per applicazioni automobilistiche, che offre capacità di commutazione efficienti e una robusta affidabilità in ambienti difficili.
La robusta tecnologia a 750 V garantisce un'elevata affidabilità e prestazioni
Progettato con una dissipazione termica migliorata per migliorare l'efficienza del sistema
Presenta eccezionali caratteristiche di commutazione per una maggiore frequenza operativa
Perdite di commutazione notevolmente ridotte grazie agli innovativi meccanismi di controllo dei gate
Link consigliati
- MOSFET Infineon 31 mΩ 7 Pin Montaggio superficiale AIMBG75R050M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 31 mΩ 7 Pin Montaggio superficiale AIMBG75R033M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 31 mΩ 7 Pin Foro passante AIMBG75R007M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 31 mΩ 7 Pin Montaggio superficiale AIMBG75R060M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 31 mΩ 7 Pin Montaggio superficiale AIMBG75R025M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 36 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie AIMBG75R027M1HXTMA1
- MOSFET Infineon 78 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie AIMBG75R060M1HXTMA1
- MOSFET Infineon 117 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie AIMBG75R090M1HXTMA1