MOSFET Infineon, canale Tipo P Depletion, EconoDUALTM3, Morsetto a vite FF900R17ME7WB11BPSA1

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Codice RS:
349-321
Codice costruttore:
FF900R17ME7WB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Serie

TRENCHSTOP IGBT7

Tipo di package

EconoDUALTM3

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione diretta Vf

2.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
HU
Il dispositivo EconoDUAL 3 Infineon da 1700 V e 900 A con doppio modulo TRENCHSTOP IGBT7 e diodo 7 controllato dall'emettitore, NTC, tecnologia di contatto PressFIT e struttura a onda sulla piastra di base.

Terminali migliorati

Perni di controllo PressFIT e terminali di alimentazione a vite

Sensore di temperatura NTC integrato

Piastra di base isolata

Design compatto e robusto con terminali stampati

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