Igbt 3 trench MOSFET Infineon, canale Tipo P Depletion, EasyPIM, Morsetto a vite FB50R07W2E3B23BOMA1

Lo stadio PFC intercalato EasyPIM 2B Infineon da 650 V e 50 A integra un raddrizzatore, un PFC a due canali e uno stadio inverter in un unico modulo compatto, offrendo una soluzione salvaspazio per le applicazioni di potenza. Progettato con un'induttanza parassita molto bassa, il dispositivo garantisce una perdita di potenza minima e una migliore efficienza di commutazione. La tecnologia H5 ad alta velocità migliora lo stadio PFC, garantendo una maggiore efficienza e tempi di risposta più rapidi. Questo modulo supporta frequenze di commutazione più elevate, fino a 50 kHz, per lo stadio PFC, consentendo migliori prestazioni nelle applicazioni più esigenti. L'IGBT 3 Trenchstop e i diodi a controllo di emettitore 3 migliorano ulteriormente l'affidabilità e l'efficienza operativa.

Design compatto con pacchetto Easy 2B