Igbt 3 trench MOSFET Infineon, canale Tipo P Depletion, EasyPIM, Morsetto a vite FB50R07W2E3B23BOMA1

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Codice RS:
348-972
Codice costruttore:
FB50R07W2E3B23BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Serie

FB50R07W2E3_B23

Tipo di package

EasyPIM

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

1.95V

Configurazione transistor

Igbt 3 trench

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, 60749, 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Lo stadio PFC intercalato EasyPIM 2B Infineon da 650 V e 50 A integra un raddrizzatore, un PFC a due canali e uno stadio inverter in un unico modulo compatto, offrendo una soluzione salvaspazio per le applicazioni di potenza. Progettato con un'induttanza parassita molto bassa, il dispositivo garantisce una perdita di potenza minima e una migliore efficienza di commutazione. La tecnologia H5 ad alta velocità migliora lo stadio PFC, garantendo una maggiore efficienza e tempi di risposta più rapidi. Questo modulo supporta frequenze di commutazione più elevate, fino a 50 kHz, per lo stadio PFC, consentendo migliori prestazioni nelle applicazioni più esigenti. L'IGBT 3 Trenchstop e i diodi a controllo di emettitore 3 migliorano ulteriormente l'affidabilità e l'efficienza operativa.

Design compatto con pacchetto Easy 2B

Il miglior rapporto costo/prestazioni che consente di ridurre i costi del sistema

Il dispositivo consente il funzionamento ad alta frequenza e la riduzione dei requisiti di raffreddamento

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