MOSFET Infineon, canale Tipo P Depletion, Morsetto a vite FB50R07W2E3C36BPSA1

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Codice RS:
348-974
Codice costruttore:
FB50R07W2E3C36BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Serie

FB50R07W2E3_B23

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.95V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Lo stadio PFC esteso intercalato EasyPIM 2B Infineon da 650 V e 50 A integra un raddrizzatore, un PFC a due canali e uno stadio inverter in un unico modulo compatto, ottimizzando spazio e prestazioni per le applicazioni di potenza. Con un'induttanza parassita molto bassa, il dispositivo riduce al minimo le perdite di potenza e migliora l'efficienza di commutazione. Il modulo è dotato di tecnologia H5 ad alta velocità per lo stadio PFC, che consente tempi di risposta più rapidi e una maggiore efficienza.

Design compatto con pacchetto Easy 2B

Il miglior rapporto costo/prestazioni che consente di ridurre i costi del sistema

Il dispositivo consente il funzionamento ad alta frequenza e la riduzione dei requisiti di raffreddamento

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