Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 672 A 40 V, PowerLeaded, Superficie Miglioramento, 4 Pin STK615N4F8AG

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Codice RS:
358-981
Codice costruttore:
STK615N4F8AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

672A

Potenza di uscita

390W

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerLeaded

Serie

STK615

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Canale N

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8.15mm

Altezza

1.85mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N con modalità di miglioramento di STMicroelectronics è progettato in tecnologia STripFET F8 con una struttura di gate a trincea perfezionata. Garantisce una figura di merito all'avanguardia per una resistenza on-state molto bassa, riducendo al contempo le capacità interne e la carica di gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Certificazione AEC-Q101

Grado MSL1

Temperatura massima di giunzione operativa 175 gradi C

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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