Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 672 A 40 V, PowerLeaded, Superficie Miglioramento, 4 Pin STK615N4F8AG

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Codice RS:
358-981
Codice costruttore:
STK615N4F8AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

672A

Potenza di uscita

390W

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerLeaded

Serie

STK615

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Canale N

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

1.85mm

Lunghezza

8.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N con modalità di miglioramento di STMicroelectronics è progettato in tecnologia STripFET F8 con una struttura di gate a trincea perfezionata. Garantisce una figura di merito all'avanguardia per una resistenza on-state molto bassa, riducendo al contempo le capacità interne e la carica di gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Certificazione AEC-Q101

Grado MSL1

Temperatura massima di giunzione operativa 175 gradi C

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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