MOSFET Nexperia, canale N, 200 mΩ, 1,05 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 509-273
Codice costruttore:: BSH105,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 200 mΩ, 1,05 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 509-273
Codice costruttore:: BSH105,215
Costruttore:: Nexperia

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,05 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.85V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	417 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	3,9 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 200 mΩ, 1,05 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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