MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 397 A, 6 Pin, H2PAK, Superficie

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Codice RS:
719-654
Codice costruttore:
STH345N6F7-6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

397A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

H2PAK

Serie

STH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

230nC

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.4mm

Altezza

4.7mm

Lunghezza

9.3mm

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Tra i RDS(on) più bassi sul mercato

Eccellente FoM (figura di merito)

Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

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