MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.21 Ω Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, SOT-23 (TO-236AB), Superficie SI2324BDS-T1-GE3

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Codice RS:
736-344
Codice costruttore:
SI2324BDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23 (TO-236AB)

Serie

SI2324BDS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.21Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.86nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per ottimizzare le applicazioni di gestione dell'alimentazione, con una robusta tensione nominale drain-sorgente di 100 V e caratteristiche termiche migliorate per un funzionamento efficiente.

L'elevata resistenza termica migliora l'affidabilità

Progettato per applicazioni con retroilluminazione LED e convertitori CC/CC

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