MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 80 V, 3.15 mΩ Miglioramento, 127 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Montaggio superficiale

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Codice RS:
762-896
Codice costruttore:
IQE031N08LM6CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

127A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TTFN-9

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Altezza

0.75mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni con una tensione nominale di 80 V. È privo di alogeni secondo la norma IEC61249-2-21 ed è conforme alla direttiva RoHS.

Canale N

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Temperatura d'esercizio 75 °C

Placcatura senza piombo

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