MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 80 V, 3.15 mΩ Miglioramento, 127 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

2,15 €

(IVA esclusa)

2,62 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 92,15 €
10 - 241,80 €
25 - 991,12 €
100 - 4991,09 €
500 +1,07 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
762-896
Codice costruttore:
IQE031N08LM6CGATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

127A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TTFN-9

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Altezza

0.75mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni con una tensione nominale di 80 V. È privo di alogeni secondo la norma IEC61249-2-21 ed è conforme alla direttiva RoHS.

Canale N

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Temperatura d'esercizio 75 °C

Placcatura senza piombo

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.