Transistor di potenza Infineon, canale N 650 V, 140 mΩ Miglioramento, 30 A, 9 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie

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Codice RS:
762-901
Codice costruttore:
IGLT65R110B2AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolGaN

Tipo di package

PG-HDSOP-16

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

140mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.61nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

55W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

10.3mm

Larghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
L'interruttore bidirezionale (BDS) CoolGaN Infineon utilizza la tecnologia al nitruro di gallio per fornire un efficace blocco di tensione in entrambe le direzioni. Integra il controllo della tensione del substrato, semplificando la progettazione per varie applicazioni industriali. Il modello IGLT65R110B2 è alloggiato in un contenitore TOLT, ottimizzato per un'elevata densità di potenza.

Ottimizzato per il funzionamento a commutazione morbida

Doppio gate per una funzionalità bidirezionale indipendente

Prestazioni superiori

Versatile per diverse applicazioni industriali

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