MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0018 Ω N, 361 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIJK4810-T1-GE3

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Codice RS:
790-429
Codice costruttore:
SIJK4810-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

361A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0018Ω

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Dissipazione di potenza massima Pd

446W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10mm

Lunghezza

12mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, con una tecnologia Advanced TrenchFET Gen IV che riduce le perdite di conduzione e migliora le prestazioni complessive.

Funziona con una tensione drain-source fino a 80 V

Fornisce una bassa resistenza in stato attivo di 0,0018 Ω a una tensione gate-sorgente di 10 V

Valore nominale per una corrente di drenaggio continua di 361 A

Dispone di collegamento alla sorgente Kelvin per ridurre al minimo il rumore del gate

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