MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,1 mΩ, 200 A, H2PAK, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
111-6467
Codice costruttore:
STH410N4F7-6AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

200 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

H2PAK

Serie

STripFET F7

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6 + Tab

Resistenza massima drain source

1,1 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

365 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

10.4mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

141 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

8.9mm

Altezza

4.8mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.3V

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