MOSFET IXYS, canale Tipo N 100 V, 2.6 mΩ Miglioramento, 360 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie IXFN360N10T

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Codice RS:
125-8041
Codice Distrelec:
302-53-370
Codice costruttore:
IXFN360N10T
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

360A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

525nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

830W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Larghezza

25.07 mm

Distrelec Product Id

30253370

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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