MOSFET IXYS, canale Tipo N 100 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 420 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie IXFN420N10T

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Codice RS:
125-8043
Codice costruttore:
IXFN420N10T
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

420A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-227

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

670nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.07kW

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.6mm

Lunghezza

38.23mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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