MOSFET Infineon, canale N, 13,4 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10 A

Tensione massima drain source

80 V

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

13,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.9V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

27 nC a 10 V

Lunghezza

5mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

4mm

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

HEXFET

Altezza

1.5mm

Tensione diretta del diodo

1.3V