MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 24 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF8788TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0967
Codice costruttore:
IRF8788TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


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