MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 24 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF8788TRPBF
- Codice RS:
- 130-0967
- Codice costruttore:
- IRF8788TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
7,33 €
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- Codice RS:
- 130-0967
- Codice costruttore:
- IRF8788TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 24A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 44nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 24A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 44nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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