MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 24 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1964,00 €

(IVA esclusa)

2396,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 4000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,491 €1.964,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-5979
Codice costruttore:
IRF8788TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati