MOSFET Nexperia, canale P, 240 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4864P
Codice costruttore:: PMV250EPEAR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 240 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 136-4864P
Codice costruttore:: PMV250EPEAR
Costruttore:: Nexperia

PMV250EPEA, 40V, P-channel Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	PMV250EPEA
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	240 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	6,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	4,7 nC a -10 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Altezza	1mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 240 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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