MOSFET Nexperia, canale P, 63 mΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a canale P, basati su tecnologia Trench leader del settore firmata Nexperia. Con un valore nominale da 12 a 70 V e alloggiati in contenitori a bassa e media potenza, offrono la nostra nota combinazione di alta efficienza ed elevata affidabilità.

MOSFET Trench a canale P da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un piccolo contenitore in plastica SOT23 (TO-236AB) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Bassa tensione di soglia
Commutazione rapidissima
Maggiore capacità di dissipazione di potenza: Ptot = 980 mW
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 2 kV HBM
Qualifica AEC-Q101
Driver LED
Gestione dell'alimentazione
Interruttore di carico high-side
Circuiti di commutazione