1 MOSFET IXYS Singolo, canale Tipo N, 132 A 250 V, SMPD, Montaggio superficiale Miglioramento, 24 Pin MMIX1F180N25T
- Codice RS:
- 146-1770
- Codice costruttore:
- MMIX1F180N25T
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 tubo da 20 unità*
801,78 €
(IVA esclusa)
978,18 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 27 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 20 + | 40,089 € | 801,78 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 146-1770
- Codice costruttore:
- MMIX1F180N25T
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 132A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Tipo di package | SMPD | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 24 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 570W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 25.25mm | |
| Altezza | 5.7mm | |
| Larghezza | 23.25 mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 132A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Tipo di package SMPD | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 24 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 570W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 25.25mm | ||
Altezza 5.7mm | ||
Larghezza 23.25 mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- DE
MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzati di IXYS
Link consigliati
- 1 MOSFET IXYS Singolo 132 A 250 V Montaggio superficiale Miglioramento, 24 Pin MMIX1F180N25T
- MOSFET IXYS 1.3 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie
- MOSFET IXYS 1.3 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie
- MOSFET IXYS 1.6 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie
- MOSFET IXYS 1.6 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie MMIX1F520N075T2
- MOSFET IXYS 1.3 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie MMIX1T600N04T2
- MOSFET IXYS 1.3 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie MMIX1T550N055T2
- MOSFET IXYS 39 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
