MOSFET IXYS, canale N, 13 mΩ, 132 A, SMPD, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-1770
Codice costruttore:: MMIX1F180N25T
Costruttore:: IXYS

MOSFET IXYS, canale N, 13 mΩ, 132 A, SMPD, Montaggio superficiale

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 20)**

41,312 €

(IVA esclusa)

50,401 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
20 +	41,312 €	826,24 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-1770
Codice costruttore:: MMIX1F180N25T
Costruttore:: IXYS

MMIX1F180N25T, GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET N-Channel 250V 132A SMPD
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	132 A
Tensione massima drain source	250 V
Serie	GigaMOS, HiperFET
Tipo di package	SMPD
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	24
Resistenza massima drain source	13 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	570 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	25.25mm
Larghezza	23.25mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	364 nC a 10 V
Tensione diretta del diodo	1.3V
Altezza	5.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET IXYS, canale N, 13 mΩ, 132 A, SMPD, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS

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