MOSFET IXYS, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 600 A, 24 Pin, SMPD, Superficie MMIX1T600N04T2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
875-2475
Codice Distrelec:
302-53-513
Codice costruttore:
MMIX1T600N04T2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

600A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SMPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

24

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

590nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

830W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

23.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.7mm

Lunghezza

25.25mm

Distrelec Product Id

30253513

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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