MOSFET IXYS, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 600 A, 24 Pin, SMPD, Superficie MMIX1T600N04T2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
875-2475
Codice Distrelec:
302-53-513
Codice costruttore:
MMIX1T600N04T2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

600A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Tipo di package

SMPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

24

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

590nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

830W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

25.25mm

Altezza

5.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS


Transistor MOSFET, IXYS


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