1 MOSFET IXYS Singolo, canale N, 13 mΩ, 132 A 250 V, SMPD, Superficie Miglioramento, 24 Pin MMIX1F180N25T

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
875-2481
Codice costruttore:
MMIX1F180N25T
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

132A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

24

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Dissipazione di potenza massima Pd

570W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Altezza

5.7mm

Larghezza

23.25mm

Lunghezza

25.25mm

Numero elementi per chip

1

MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzati di IXYS

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