1 MOSFET IXYS Singolo, canale Tipo N, 132 A 250 V, SMPD, Montaggio superficiale Miglioramento, 24 Pin MMIX1F180N25T
- Codice RS:
- 875-2481
- Codice costruttore:
- MMIX1F180N25T
- Costruttore:
- IXYS
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Prezzo per 1 unità*
45,05 €
(IVA esclusa)
54,96 €
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 45,05 € |
| 5 - 9 | 36,73 € |
| 10 - 19 | 35,72 € |
| 20 - 39 | 34,60 € |
| 40 + | 33,74 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 875-2481
- Codice costruttore:
- MMIX1F180N25T
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 132A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Tipo di package | SMPD | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 24 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 570W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Larghezza | 23.25 mm | |
| Lunghezza | 25.25mm | |
| Altezza | 5.7mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 132A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Tipo di package SMPD | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 24 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 570W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Larghezza 23.25 mm | ||
Lunghezza 25.25mm | ||
Altezza 5.7mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzati di IXYS