MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,4 mΩ, 120 A, H2PAK, Montaggio superficiale

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Codice RS:
165-5563
Codice costruttore:
STH175N4F6-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

120 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

H2PAK

Serie

STripFET F6

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

2,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

9.17mm

Carica gate tipica @ Vgs

130 nC a 10 V

Lunghezza

10.4mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Materiale del transistor

Si

Tensione diretta del diodo

1.3V

Altezza

4.8mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

STripFET™ F6 a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.


Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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