MOSFET STMicroelectronics, canale N 1 kV, 6.8 Ω Miglioramento, 2.2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
165-8050
Codice costruttore:
STD4NK100Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2mm

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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