MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
165-8051
Codice costruttore:
BSC019N04NSGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

81nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.35 mm

Altezza

1.1mm

Lunghezza

6.35mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V


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