MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 165-8051
Codice costruttore:: BSC019N04NSGATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2715,00 €

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Codice RS:: 165-8051
Codice costruttore:: BSC019N04NSGATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	0.85V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	81nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie OptiMOS 3
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 0.85V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 81nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Paese di origine:: MY

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