MOSFET DiodesZetex, canale P, 8 Ω, 200 mA, X1-DFN1006, Montaggio superficiale

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Codice RS:
165-8628
Codice costruttore:
DMP56D0UFB-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

200 mA

Tensione massima drain source

50 V

Tipo di package

X1-DFN1006

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.2V

Dissipazione di potenza massima

425 MW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

0.675mm

Carica gate tipica @ Vgs

0,58 nC a 4 V

Lunghezza

1.08mm

Altezza

0.48mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc



Transistor MOSFET, Diodes Inc.

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