MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 2 Ω Miglioramento, 407 mA, 3 Pin, X1-DFN, Superficie DMN62D4LFB-7B

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2846
Codice costruttore:
DMN62D4LFB-7B
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

407mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMN

Tipo di package

X1-DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.1nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.04 mm

Altezza

0.22mm

Lunghezza

0.64mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

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