MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 2 Ω Miglioramento, 407 mA, 3 Pin, X1-DFN, Superficie

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Codice RS:
222-2845
Codice costruttore:
DMN62D4LFB-7B
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

407mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

X1-DFN

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.2W

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.04 mm

Altezza

0.22mm

Lunghezza

0.64mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

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