MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 2 Ω Miglioramento, 407 mA, 3 Pin, X1-DFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*

380,00 €

(IVA esclusa)

460,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 23 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
10000 +0,038 €380,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-2845
Codice costruttore:
DMN62D4LFB-7B
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

407mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMN

Tipo di package

X1-DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.1nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.04 mm

Altezza

0.22mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

0.64mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

Link consigliati