MOSFET onsemi, canale N, 2,4 mΩ, 120 A, 265 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2150
Codice costruttore:: FDB024N06
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,4 mΩ, 120 A, 265 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Prodotto discontinuato

Codice RS:: 166-2150
Codice costruttore:: FDB024N06
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A, 265 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	395 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.67mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	9.65mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	174 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.83mm