MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8 A, PowerSO, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 168-8718
- Codice costruttore:
- PD85050S
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Non disponibile
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- Codice RS:
- 168-8718
- Codice costruttore:
- PD85050S
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 8 A | |
| Tensione massima drain source | 28 V | |
| Tipo di package | PowerSO | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 10 | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 105 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -10 V, +10 V | |
| Lunghezza | 15.65mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Larghezza | 9.6mm | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 3.6mm | |
| Guadagno potenza tipico | 12 dB | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 8 A | ||
Tensione massima drain source 28 V | ||
Tipo di package PowerSO | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 10 | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Tensione di soglia gate minima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 105 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -10 V, +10 V | ||
Lunghezza 15.65mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Larghezza 9.6mm | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Altezza 3.6mm | ||
Guadagno potenza tipico 12 dB | ||
- Paese di origine:
- MY
Transistor MOSFET RF, STMicroelectronics
I transistor a radio frequenza sono LDMOS adatti per uplink satellitari in banda L e transistor di potenza DMOS in applicazioni che vanno da 1 MHz a 2 GHz.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
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