MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 5.8 mΩ Miglioramento, 59 A, 4 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
172-3318
Codice costruttore:
NVD5C464NT4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

NVD5C464N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.

700 V a TJ= 150 °C

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 259 nC)

Minore perdita di commutazione

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 1972 pF)

Minore perdita di commutazione

Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)

Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase

Capacità ottimizzata

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Tip. RDS(on) = 23 mΩ

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