MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 59 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.

700 V a TJ= 150 °C
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 259 nC)
Minore perdita di commutazione
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 1972 pF)
Minore perdita di commutazione
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Capacità ottimizzata
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Tip. RDS(on) = 23 mΩ