MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 59 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-3367
Codice costruttore:: NVD5C464NT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 59 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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25 - 75	1,357 €	33,925 €
100 - 225	1,17 €	29,25 €
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Codice RS:: 172-3367
Codice costruttore:: NVD5C464NT4G
Costruttore:: onsemi

Datasheets
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	59 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	NVD5C464N
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	6.22mm
Lunghezza	6.73mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.25mm

MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 59 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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