MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 3 Ω Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR420TRPBF

Prezzo per 2000 unità, in una bobina da 2000*

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Codice RS:
177-7553
Codice costruttore:
IRFR420TRPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

IRFR420

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Larghezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRFR420 di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 500 V, dissipazione di potenza massima di 42 W - IRFR420TRPBF


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in apparecchiature industriali ed elettroniche. Funziona in un ampio intervallo di temperature per ambienti difficili ed è fornito in un pacchetto compatto a montaggio superficiale adatto per assemblaggi a livello di scheda.

Caratteristiche e vantaggi:


• Tensione massima drain-source di 500 V per capacità di commutazione ad alta tensione
• Rds(on) di 3 Ω che consente perdite di conduzione prevedibili
• Corrente di drenaggio continua di 2,4 A per la gestione del carico a stato stazionario
• Carica gate di 19 nC che supporta transizioni di commutazione efficienti
• Dissipazione di potenza massima di 42 W per il budget delle prestazioni termiche
• Valore nominale gate-source di 20 V per accogliere forti margini gate-drive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per i front-end di controllo dei motori industriali
• Utilizzato con convertitori CC-CC isolati nei sistemi di alimentazione
• Può essere utilizzato per circuiti di commutazione di lampade e riscaldatori
• Adatto per componenti elettronici robusti che operano a temperature estreme

Quale metodo di montaggio deve essere utilizzato per un funzionamento affidabile?


Il contenitore è di tipo a montaggio superficiale TO-252, pertanto i processi di rifusione SMT standard e i modelli di messa a terra compatibili sono adatti per l'assemblaggio su circuito stampato.

Quali sono i limiti termici che i progettisti devono considerare durante il layout?


Il dispositivo dissipa fino a 42 W

l'area in rame, le vie termiche e un dissipatore di calore adeguato sul circuito stampato sono necessari per gestire la temperatura di giunzione entro i limiti.

In che modo la scelta del gate drive influisce sulle prestazioni di commutazione?


Un'unità in grado di raggiungere il limite gate-sorgente di 20 V fornisce un'accensione più rapida, mentre la cifra di carica gate di 19 nC aiuta a stimare la corrente di azionamento richiesta e le perdite di commutazione.

Quali condizioni ambientali estreme può sopportare?


È specificato per funzionare da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in applicazioni con ampie variazioni di temperatura ambiente e di giunzione.

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