MOSFET Microchip, canale N, 25 Ω, 200 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 177-9730
- Codice costruttore:
- VN2460N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per 1pz in confezione da 10
1,427 €
(IVA esclusa)
1,741 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 1,427 € | 14,27 € |
| 30 - 90 | 1,353 € | 13,53 € |
| 100 + | 1,218 € | 12,18 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 177-9730
- Codice costruttore:
- VN2460N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Questo transistor (normalmente inattivo) in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente intrinseco di temperatura positivo dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.
Privi di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 200 mA |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Serie | VN2460 |
| Tipo di package | TO-243AA |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 25 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Tensione di soglia gate minima | 1.5V |
| Dissipazione di potenza massima | 1,6 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | 20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 4.6mm |
| Larghezza | 2.6mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Tensione diretta del diodo | 1.5V |
| Altezza | 1.6mm |
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