MOSFET Microchip, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

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Codice RS:
178-5277
Codice costruttore:
DN3535N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

230 mA

Tensione massima drain source

350 V

Tipo di package

TO-243AA

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

10 Ω

Modalità del canale

Depletion

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Dissipazione di potenza massima

1,6 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

4.6mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

2.6mm

Altezza

1.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex


La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.

Caratteristiche


Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita

Applicazioni


Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni


Transistor MOSFET, Microchip

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