MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.085 Ω, 4.8 A 150 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin

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Codice RS:
180-7322
Codice costruttore:
SI7898DP-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.085Ω

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET PowerPAK-SO-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 150V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 85mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 5W e una corrente di drain continua di 4,8 A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 6V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• componente senza piombo (Pb)

• nuovo contenitore PowerPAK a bassa resistenza termica con dimensioni ridotte e basso profilo di 1,07 mm

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• PWM ottimizzato

MOSFET di potenza TrenchFET da • per una commutazione rapida

Applications


• interruttori lato primario alimentazione CC/CC

• azionamenti per motori industriali

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

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