1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.0087 Ω, 60 A 100 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin

Codice RS:: 180-7355
Codice costruttore:: SIR882ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.0087 Ω, 60 A 100 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 180-7355
Codice costruttore:: SIR882ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0087Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	83W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	19.5nC
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Singolo
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5.26 mm
	Altezza	1.12mm
	Lunghezza	6.25mm
	Numero elementi per chip	1
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0087Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 83W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19.5nC
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Singolo
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5.26 mm
	Altezza 1.12mm
	Lunghezza 6.25mm
	Numero elementi per chip 1
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET PowerPAK-SO-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 8,7 ms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 83W e corrente di drain continua di 60A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• componente senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da • per una commutazione rapida

Applications

• interruttore lato primario CC/CC

• Siti industriali

• Telecom/server 48V, c.c./c.c. full/half-bridge

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato