1 MOSFET Vishay Singolo, canale N, 0.0087 Ω, 60 A 100 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SIR882ADP-T1-GE3

Codice RS:: 180-7355
Codice costruttore:: SIR882ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

1 MOSFET Vishay Singolo, canale N, 0.0087 Ω, 60 A 100 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SIR882ADP-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7355
Codice costruttore:: SIR882ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0087Ω
	Dissipazione di potenza massima Pd	83W
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	19.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Singolo
	Larghezza	5.26mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.25mm
	Altezza	1.12mm
	Numero elementi per chip	1
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0087Ω
	Dissipazione di potenza massima Pd 83W
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Singolo
	Larghezza 5.26mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.25mm
	Altezza 1.12mm
	Numero elementi per chip 1
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET PowerPAK-SO-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 8,7 ms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 83W e corrente di drain continua di 60A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• componente senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da • per una commutazione rapida

Applications

• interruttore lato primario CC/CC

• Siti industriali

• Telecom/server 48V, c.c./c.c. full/half-bridge

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato