1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.028 Ω, 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB IRFZ44RPBF
- Codice RS:
- 180-8357
- Codice costruttore:
- IRFZ44RPBF
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,734 € | 86,70 € |
| 100 - 200 | 1,544 € | 77,20 € |
| 250 + | 1,388 € | 69,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8357
- Codice costruttore:
- IRFZ44RPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.028Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 67nC | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.028Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 67nC | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-220-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 28mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 150W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Advanced Process Technology
• sostituzione drop-in di IRFZ44, SiHFZ44 per applicazioni lineari/audio
• valore nominale DV/dt dinamico
Commutazione rapida •
• completamente a valanga
• componente senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
Resistenza ultra bassa in stato attivo •
Applications
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •
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