MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 12 mΩ Miglioramento, 124 A, 8 Pin, PQFN, Superficie FDMS86181

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Codice RS:
181-1895
Codice costruttore:
FDMS86181
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

124A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PQFN

Serie

FDMS86181

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5.85mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Questo MOSFET MV a canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Tecnologia MOSFET a gate schermato

Max. rDS(on) = 4,2 mΩ a VGS = 10 V, ID = 44 A

Max. rDS(on) = 12 mΩ a VGS = 6 V, ID = 22 A

AGGIUNGI

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

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