MOSFET onsemi, canale Tipo N Miglioramento, 8 Pin, DFNW-8 NVMTS0D7N04CTXG
- Codice RS:
- 185-8160
- Codice costruttore:
- NVMTS0D7N04CTXG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 185-8160
- Codice costruttore:
- NVMTS0D7N04CTXG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | DFNW-8 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Altezza | 1.15 mm | |
| Lunghezza | 8.1 mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175 °C | |
| Minima temperatura operativa | 55 °C | |
| Larghezza | 8 mm | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package DFNW-8 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Altezza 1.15 mm | ||
Lunghezza 8.1 mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 175 °C | ||
Minima temperatura operativa 55 °C | ||
Larghezza 8 mm | ||
Non conforme
- Paese di origine:
- PH
MOSFET di potenza per uso automobilistico in un pacchetto a cavo piatto da 8 x 8 mm progettato per progetti compatti ed efficienti che includono elevate prestazioni termiche. Opzione a fianco umidificabile disponibile per un'ispezione ottica migliorata. Capacità MOSFET e PPAP adatto per applicazioni automobilistiche.
Piccolo ingombro (8x8 mm)
Bassa resistenza RDS(on)
QG e capacità bassi
Opzione con fiancata bagnabile
Capacità PPAP
Design compatto
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
Riduce le perdite di driver
Ispezione visiva migliorata
Applicazioni
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Commutazione degli alimentatori
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Prodotti finali
Comando motore - EPS, tergicristalli, ventole, sedili, ecc
. Interruttore di carico - ECU, telaio, corpo
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