MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 55 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NVTFS6H888NTAG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
185-9125
Codice costruttore:
NVTFS6H888NTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

WDFN

Serie

NVTFS6H888N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

18W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.15mm

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.15 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Piccolo ingombro (3,3 x 3,3 mm)

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacitanza

NVTFS6H850NWF - Prodotto con fianchi bagnabile

Capacità PPAP

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Adatto per applicazioni nel settore automobilistico

Applicazioni

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Commutazione degli alimentatori

Prodotti finali

Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante

Comando motore - EPS, tergicristalli, ventole, sedili, ecc

. Interruttore di carico - ECU, telaio, corpo

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