MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1 Ω, 5 A, IPAK (TO-251), Su foro
- Codice RS:
- 188-8290
- Codice costruttore:
- STD5NM60T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
1,008 €
(IVA esclusa)
1,23 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,008 € | 2.520,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-8290
- Codice costruttore:
- STD5NM60T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET di potenza che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dell'azienda. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resistenza all'accensione, un elevato dv/dt impressionante ed eccellenti caratteristiche di valanghe. L'adozione della tecnica proprietaria di strip produce prestazioni dinamiche complessive.
Bassa capacità di ingresso e carica del gate
Elevata capacità dv/dt e valanghe
Bassa resistenza di ingresso del gate
Applications
Applicazioni di commutazione
Elevata capacità dv/dt e valanghe
Bassa resistenza di ingresso del gate
Applications
Applicazioni di commutazione
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 5 A |
| Tensione massima drain source | 650 V |
| Tipo di package | IPAK (TO-251) |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 1 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 5V |
| Tensione di soglia gate minima | 4V |
| Dissipazione di potenza massima | 96 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±30 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Lunghezza | 6.6mm |
| Larghezza | 2.4mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 13 nC a 10 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Tensione diretta del diodo | 1.5V |
| Altezza | 6.2mm |
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1 Ω, 5 A, IPAK (TO-251), Su foro
- MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 Ω, 1,85 A, IPAK (TO-251), Su foro
- MOSFET STMicroelectronics, canale N, 900 mΩ, 5 A, IPAK (TO-251), Su foro
- MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su foro
- MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,5 Ω, 1 A, IPAK (TO-251), Su foro
- Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,4 mΩ, 75 A,...
- Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8 Ω, 1,4 A, TO-251, Su foro
- Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 1 O, 6,8 A, IPAK...