Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante STD5NM60T4

Codice RS:: 188-8455
Codice costruttore:: STD5NM60T4
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante STD5NM60T4

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Codice RS:: 188-8455
Codice costruttore:: STD5NM60T4
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	IPAK
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	96W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	6.2mm
	Lunghezza	6.6mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package IPAK
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 96W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 6.2mm
	Lunghezza 6.6mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet STD5NM60T4

MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET di potenza che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dell'azienda. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resistenza all'accensione, un elevato dv/dt impressionante ed eccellenti caratteristiche di valanghe. L’adozione della tecnica proprietaria della strip produce performance dinamiche complessive.

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

Elevata capacità dv/dt e valanghe

Bassa resistenza di ingresso del gate

Applications

Applicazioni di commutazione

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