MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante STD5NM60T4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-8455
Codice costruttore:
STD5NM60T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

6.2mm

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET di potenza che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dell'azienda. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resistenza all'accensione, un elevato dv/dt impressionante ed eccellenti caratteristiche di valanghe. L’adozione della tecnica proprietaria della strip produce performance dinamiche complessive.

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

Elevata capacità dv/dt e valanghe

Bassa resistenza di ingresso del gate

Applications

Applicazioni di commutazione

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