1 MOSFET STMicroelectronics Singolo, canale Tipo N, 36 mΩ, 72 A 600 V, TO-247, Foro passante Miglioramento, 3 Pin
- Codice RS:
- 195-2679
- Codice costruttore:
- STWA75N60DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 195-2679
- Codice costruttore:
- STWA75N60DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 72A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 36mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Larghezza | 5.1mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 72A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 36mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 21.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Larghezza 5.1mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questi MOSFET di potenza ad alta tensione a canale N fanno parte della serie di diodi di recupero rapido MDmeshTM DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, il DM6 combina carica di recupero (Qrr), tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento dell'area RDS(on)* con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le più esigenti topologie a ponte ad alta efficienza e convertitori a spostamento di fase ZVS.
Diodo corpo a recupero rapido
RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener
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